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    RSU7N65F
    高壓N-溝道多層外延超結MOS

    RSU7N65F是瑞森采用先進的超結工藝制造的N溝道多層外延超結場效應晶體管,通過優化芯片結構,使該產品具有極低的導通內阻和的柵極電荷,能較大地降低產品EMI和開關損耗。廣泛應用于OBC充電機,化成電源,醫療電源,金牌PC電源,服務器電源,TV電源,充電樁,通訊電源,諧振方案,工控等。


    主要特點
      • ID(A) =7,VDSS(V)=650

      • RDS(ON)  Typ(mΩ)=560,Max(mΩ)=650

      • 采用多層外延工藝制作,與Trench工藝相比,具有優異的抗EMI及抗浪涌能力

      • 超小內阻,超小封裝,超低結電容,EMI余量大

    技術文檔
    標題 類型 大小 (KB) 下載完整規格書
    RSU7N65F PDF 1188 RSU7N65F
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