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    RSU12N65F
    高壓N-溝道多層外延超結MOS

    RSU12N65F是瑞森采用先進的超結工藝制造的N溝道多層外延超結場效應晶體管,通過優化芯片結構,使該產品具有極低的導通內阻和的柵極電荷,能較大地降低產品EMI和開關損耗。廣泛應用于開關電源,電源適配器、LED驅動等領域。


    主要特點
      • VDS =650V,ID =12A

      • RDS(ON) <450mΩ @ VGS = 10V

      • 超結工藝

      • 極低的導通電阻

      • 100%的UIS測試


    技術文檔
    標題 類型 大小 (KB) 下載完整規格書
    RSU12N65F PDF 2,000 RSU12N65F TO-220F.SPEC_EN A6
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